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Binance app下载xiawei2024-06-26 00:30:076

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半导体新星IGBT:内部构造的精密剖析IGBT,作为现代轨道交通的得力助手,其内部构造的精妙之处不容小觑。本文将深入探讨以英飞凌PrimePACK 3封装的代表性IGBT模块为例,其包含两个半桥模块,每个模块的规格为7kV/4kA,堪称电力转换的高效能小巨人。外观之下,模块的精密布局昭然若揭。

KWBW25N120S1E2是一款由Infineon Technologies生产的高压可控硅(IGBT)模块。具体来说,KWBW25N120S1E2是一个二极管/ IGBT组合模块,其中包含一个25A/1200V的IGBT和一个免反二极管。IGBT是一种半导体器件,可以控制大电流和高电压。

IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块使用的铜基板型号根据不同制造商和应用需求而有所不同。

Infineon的IGBT模块常用的电压为:600V,1200V,1700V。这个电压为系统的直流母线工作电压。普通的交流220V供电,使用600V的IGBT。交流380V供电,使用1200V的IGBT。Infineon也有大功率的3300V,4500V,6500V的IGBT可供选择,一般用于机车牵引和电力系统中。

没有。德国infineon(英飞凌)公司生产的IGBT模块品种繁多,为了使客户选型方便,我们对其按电压等级进行分类,共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、3300V、4500V/6500V五种电压等级。IGBT3的元胞结构从平面型变成了沟槽型。

这是英飞凌的IGBT的一个型号,600A,1200V的单管。做硬开关可以到20KHz左右。属于高频的,管压降2V。偶是卖这个的,不过没代理英飞凌这个品牌。

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